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,即I层的膜质量不仅对太阳电池的初期特性有影响,对光衰减特性也有很大影响。I层一般采用a-Si: H,单结太阳电池的太阳光谱灵敏度除涂层吸收的影响外,当光学的禁带宽度一定时,滨层越厚,越能有效吸收太阳光;然而滨层内电场较弱部分则与载流子的输送特性降低有关。相反,若厚度越薄,滨层整个区域内都存在强电场,填充因子就会改善,但是通过低光吸收会带来短路电流下降。由两者的平衡来决定滨层的佳膜厚。
。开发起初用的是在较低真空条件下,使半导体层全部在一个反应室内形成的单室方式。 但是,I层中的氧和氮等杂质混入P层和N层的掺杂层等会使a-Si: H膜的膜质量下降。为了降低杂质量,提出使各层在不同反应室成膜的连续分离形成方式。再进一步,又提出其发展型,即超高真空型分离形成装置。这是为了防止各层间的污染,需要使PI-N各层的反应室完全独立。另外,可以抑制反应室壁的脱气作用,提高真空度,通过提供的高纯度气体,可能会有效地减少a-Si: H膜中的杂质量,
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