果冻传媒91制片

  在实际生产过程中，大多使用较廉价的NaOH稀溶液(浓度为1% )作为腐蚀剂，属蚀液温度为70-85℃。为了获得均匀的绒面，。由于腐蚀过程的随机性，。

　　,而且由于碱性腐蚀液对多晶硅表面不同晶粒之间的反应速度不一样，会产生台阶和裂缝，不能形成均匀的绒面。

　　通过对绒面制备方法的大量研究，近几年发展的几种方法已经开始应用到大规模生产中,主要。

　，常用定比例的贬贵+贬狈翱3的酸混合溶液。这种腐蚀方法一般对硅的不同晶面有相同的腐蚀速度，因此又称为各向同性腐蚀法。但在多晶硅制绒的腐蚀过程中，要将温度控制在5～10℃的低温，使这种各向同性的腐蚀速度降低,但能在切片造成的表面损伤(微裂纹)方向上保持较高的腐蚀速度,从而将表面的损伤加深、加宽形成绒面。一般多晶硅晶向是任意分布的,经过腐蚀后，在表面会出现不规则的巴坑形状。这些凹坑像小虫一样密布于电池表面，，多晶硅绒面形貌。

　　由于利用酸溶液制作的成本比较低，易于工业化生产，而且可以将去除损伤层制作绒而和清洗等几道工序结合，通过在线式酸制绒设备次完成，所以近年来开发的酿制绒清洗机十分受市场欢迎。

　　活性离子刻蚀法是采用无应力的干法刻蚀来实现在的，该方法为一种无掩胶腐蚀工艺，通过调节射频功率、气体流量及反应压力等来控制形成多晶硅表面类全字塔结构的速度及绒面高度等。所形成的绒面反射率特别低，在450～1000um 光谱范围内的反射率可小于2%。仅从光学的角度来看，是一种理想的方法，但存在的问题是硅表面损伤严重，。

　　。

　　。这种方法可在多晶硅表面制作倒金字塔结构，在500 ～ 900nm光谱范围内，反射率为4% ～6%，与表面制作双层减反射膜相当。而在(100)面单晶硅化学制作绒面的反射率为11%。用激光制作绒面比在光滑面镀双层减反射膜层(ZnS/MgF2)电池的短路电流要提高4%左右，这主要是长波光(波长大于80mm)科射进入电池的原因。激光制作绒面存在的问题是，在刻蚀中表面会造成报伤，同时也引入了一些杂质，要通过化学处理去除表面损伤层。 这。

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