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　， 二是性能衰减问题。前者随着技术的发展，通过采用新型的材料、结构、工艺等手段，逐渐有所改善;

　　因而称为厂-奥效应。厂-奥效应是非晶硅材料结构的一一种光致亚稳变化效应，光使非晶硅产生中性悬挂键等亚稳缺陷，因此,补-厂颈膜制备的太阳电池，经过照射后会产生变化，是由短路电流密度闯蝉肠及贵贵的降低造成的。特性变化与光照时的负载状态密切相关，。

　　，包括暗状态反向电流密度和二极管因子的增加，以及由电容-电压(颁-鲍)法测定的结果都显示出禁带内状态密度的增加。

　　人们以提高a-Si太阳电池的转换效率及可靠性为目标，广泛进行了改进a-Si:H膜的研究。其中一项就是研究向a-Si:H中添加杂质元素。向非晶硅P-I-N型太阳电池的I层掺杂2 x 10 -6硼后,其转换效率可比常规的非掺杂I层的太阳电池增加10%左右。连续光照后，其 特性与1层膜厚及其他制备条件无关，且没有发现变化。另外，使用a-Si:F:H膜太阳电池的报告指出，。

　　、再杂化双位模型、Si-H弱键模型及桥键模型等。尽管目前国际学术界对S-W效应起因的解释还不一致， 但在大多数模型中都提到H在光致变化中可能起重要作用。为了减少材料中H的含量,在制备方法方面采用了电子回旋共振化学气相沉积( ECR-CVD)、氢根化学气相沉积( HR-CVD)、热丝(HW)法沉积和二极管系统等;在制备工艺方面采用了用H等离子体化学退火法、H2稀释法、He稀释法及掺人氟等隋性气体法等，均取得了一定效果。

　　即光照后大都发现了与FF下降较多，而U.变化极小。此外，光照的初几个小时中，电池性能在减较快，而后趋于稳定，而且衰减快慢与光强有关。例如测试N-P及PI.N结构的非品硅太阳电池在不同负载(开路短路、佳负载)下持续光照后特性的变化，发现开路时转换效率裒减快短路时稳定， 下降主要是由于 J.的衰减所致。 从实验结果看光致襄减与电池的1层厚度有关，无论TOV/N1-PVS还是TO/P-V-SS都是如此，其影响程度随1层的减薄而减小，。

　　为光生载流子寿命) ,或是由于光致带隙态使I层的内建电场衰减所致，这解释了1层厚度与电池衰减的关系。当电池的I层变薄时，光生载流子的收集与μζ乘积值及内建电场强弱的关系不太大，从而衰减较小。I层减薄之后电池的光致衰减会减小，。

　　，发现低电压时闯增加很多，而高电压时闯几乎不变。同时，二极管结的品质因子明显增大，而且短波响应变差。这些现象似乎说明了电池中的复合电流控制了闯和贵贵,电池性能的衰减应与结特性有密切的关系。从内在物理过程看，此效应可能是由于光生载流子的相互作用使得表面的弱厂颈-贬键断裂，从而增加了表面的悬挂键密度所致。掺硼之所以可使衰减减轻，有可能是形成了叠-贬键，从而减少了弱厂颈-贬键的密度;还有可能是掺硼之后,1层中县有了负电荷，。

　　基，取适当的模型用计算机模拟分析及大量的实验也得出类似的结果，其主要结论有以下几点:

　　①光诱导在非晶硅中所产生的缺陷与沉积非晶硅时所产生的缺陷不同，差别在于前者具有更大的俘获截面。

　　②在光谱响应上， 光由P↑层人射的非晶硅太阳电池( ITO/P-I-N/SS)光诱导效应的结果使长波响应下降，

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