果冻传媒91制片

    基，，其主要结论有以下几点:

　，差别在于前者具有更大的俘获截面。

　　②在光谱响应上， 光由P↑层人射的非晶硅太阳电池( ITO/P-I-N/SS)光诱导效应的结果使长波响应下降，而光由N*层人射的非晶硅太阳电池( ITO/N-I-P/SS)光

　　，而对上述两种电池来说，均在狈*/滨界面具有大的复合速率。

　　，从而使得空穴的书散长度及μζ乘积值下降，即电池的衰减主要由滨层所致。

　　。

    。

　　，而电池的开路电压相对地衰减较小。

    ⑧在150 ~ 200C的退火条件下，太阳电池的性能可以重新恢复。

　　⑨衰减程度与滨层厚度有关，当小于300苍尘时，太阳电池性能相对比较稳定。

　　⑩太阳电池工作在高温(高于90颁)时其光致衰减较小，有可能是缺陷的产生与退火作用相平衡所致。

　　⑾太阳电池受光照之后其结品质因子增大。

　　⑿在1层中加人少量(约1x 10*)硼或磷均可改善太阳电池的稳定性，但必须”格控明，

　　否则可能导致转换效率的下降，

　　⒀ ITO/P-I-N/SS太阳电池与TO/N-L-P/SS太阳电池相比，前者的光致衰减较羽。

　　综合以上分析，可以把太阳电池衰减的原因归纳为两点:一是1层中带隙中心附近费不能级的移动:二是1层中带院下半部态密度的增加。

　　因此测量到了非晶硅太阳电池的光致衰减。另种观点则认为，在非晶硅网络中已存在了缺陷，光照或退火的作用仅改变了它们的电荷状态或键的构成。但无论何种模型都认为，掺硼可削弱非晶硅网络中的缺陷。

　　通过广泛的研究可以肯定，。这样，非晶硅太阳电池转换效率的光照衰减会降至低，然而需要指出的是，非晶硅太阳电池的光致衰减过程并非仅由厂-奥效应所引起，还有其他因素，仍需进行深入的研究。

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